Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Číslo dílu
IRFR110PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33693 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR110PBF
IRFR110PBF Elektronické komponenty
IRFR110PBF Odbyt
IRFR110PBF Dodavatel
IRFR110PBF Distributor
IRFR110PBF Datová tabulka
IRFR110PBF Fotky
IRFR110PBF Cena
IRFR110PBF Nabídka
IRFR110PBF Nejnižší cena
IRFR110PBF Vyhledávání
IRFR110PBF Nákup
IRFR110PBF Chip