Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Číslo dílu
IRFR120PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36000 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR120PBF
IRFR120PBF Elektronické komponenty
IRFR120PBF Odbyt
IRFR120PBF Dodavatel
IRFR120PBF Distributor
IRFR120PBF Datová tabulka
IRFR120PBF Fotky
IRFR120PBF Cena
IRFR120PBF Nabídka
IRFR120PBF Nejnižší cena
IRFR120PBF Vyhledávání
IRFR120PBF Nákup
IRFR120PBF Chip