Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Číslo dílu
IRFR1N60APBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
229pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49792 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF Elektronické komponenty
IRFR1N60APBF Odbyt
IRFR1N60APBF Dodavatel
IRFR1N60APBF Distributor
IRFR1N60APBF Datová tabulka
IRFR1N60APBF Fotky
IRFR1N60APBF Cena
IRFR1N60APBF Nabídka
IRFR1N60APBF Nejnižší cena
IRFR1N60APBF Vyhledávání
IRFR1N60APBF Nákup
IRFR1N60APBF Chip