Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR210PBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Číslo dílu
IRFR210PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44479 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR210PBF
IRFR210PBF Elektronické komponenty
IRFR210PBF Odbyt
IRFR210PBF Dodavatel
IRFR210PBF Distributor
IRFR210PBF Datová tabulka
IRFR210PBF Fotky
IRFR210PBF Cena
IRFR210PBF Nabídka
IRFR210PBF Nejnižší cena
IRFR210PBF Vyhledávání
IRFR210PBF Nákup
IRFR210PBF Chip