Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Číslo dílu
IRFRC20PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9141 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFRC20PBF
IRFRC20PBF Elektronické komponenty
IRFRC20PBF Odbyt
IRFRC20PBF Dodavatel
IRFRC20PBF Distributor
IRFRC20PBF Datová tabulka
IRFRC20PBF Fotky
IRFRC20PBF Cena
IRFRC20PBF Nabídka
IRFRC20PBF Nejnižší cena
IRFRC20PBF Vyhledávání
IRFRC20PBF Nákup
IRFRC20PBF Chip