IRFRC20TRPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Číslo dílu
IRFRC20TRPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26078 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFRC20TRPBF
IRFRC20TRPBF Elektronické komponenty
IRFRC20TRPBF Odbyt
IRFRC20TRPBF Dodavatel
IRFRC20TRPBF Distributor
IRFRC20TRPBF Datová tabulka
IRFRC20TRPBF Fotky
IRFRC20TRPBF Cena
IRFRC20TRPBF Nabídka
IRFRC20TRPBF Nejnižší cena
IRFRC20TRPBF Vyhledávání
IRFRC20TRPBF Nákup
IRFRC20TRPBF Chip