Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Číslo dílu
IRLZ14PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18552 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ14PBF
IRLZ14PBF Elektronické komponenty
IRLZ14PBF Odbyt
IRLZ14PBF Dodavatel
IRLZ14PBF Distributor
IRLZ14PBF Datová tabulka
IRLZ14PBF Fotky
IRLZ14PBF Cena
IRLZ14PBF Nabídka
IRLZ14PBF Nejnižší cena
IRLZ14PBF Vyhledávání
IRLZ14PBF Nákup
IRLZ14PBF Chip