Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLZ14STRR
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Číslo dílu
IRLZ14STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLZ14STRR
IRLZ14STRR Elektronické komponenty
IRLZ14STRR Odbyt
IRLZ14STRR Dodavatel
IRLZ14STRR Distributor
IRLZ14STRR Datová tabulka
IRLZ14STRR Fotky
IRLZ14STRR Cena
IRLZ14STRR Nabídka
IRLZ14STRR Nejnižší cena
IRLZ14STRR Vyhledávání
IRLZ14STRR Nákup
IRLZ14STRR Chip