Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI1902CDL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
Číslo dílu
SI1902CDL-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Výkon - Max
420mW
Dodavatelský balíček zařízení
SC-70-6 (SOT-363)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
235 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
62pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27673 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI1902CDL-T1-GE3 Odbyt
SI1902CDL-T1-GE3 Dodavatel
SI1902CDL-T1-GE3 Distributor
SI1902CDL-T1-GE3 Datová tabulka
SI1902CDL-T1-GE3 Fotky
SI1902CDL-T1-GE3 Cena
SI1902CDL-T1-GE3 Nabídka
SI1902CDL-T1-GE3 Nejnižší cena
SI1902CDL-T1-GE3 Vyhledávání
SI1902CDL-T1-GE3 Nákup
SI1902CDL-T1-GE3 Chip