SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Číslo dílu
SI2301CDS-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32344 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3 Elektronické komponenty
SI2301CDS-T1-E3 Odbyt
SI2301CDS-T1-E3 Dodavatel
SI2301CDS-T1-E3 Distributor
SI2301CDS-T1-E3 Datová tabulka
SI2301CDS-T1-E3 Fotky
SI2301CDS-T1-E3 Cena
SI2301CDS-T1-E3 Nabídka
SI2301CDS-T1-E3 Nejnižší cena
SI2301CDS-T1-E3 Vyhledávání
SI2301CDS-T1-E3 Nákup
SI2301CDS-T1-E3 Chip