SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Číslo dílu
SI2312CDS-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31.8 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16895 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI2312CDS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI2312CDS-T1-GE3 Odbyt
SI2312CDS-T1-GE3 Dodavatel
SI2312CDS-T1-GE3 Distributor
SI2312CDS-T1-GE3 Datová tabulka
SI2312CDS-T1-GE3 Fotky
SI2312CDS-T1-GE3 Cena
SI2312CDS-T1-GE3 Nabídka
SI2312CDS-T1-GE3 Nejnižší cena
SI2312CDS-T1-GE3 Vyhledávání
SI2312CDS-T1-GE3 Nákup
SI2312CDS-T1-GE3 Chip