SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Číslo dílu
SI2367DS-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
561pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45099 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI2367DS-T1-GE3
SI2367DS-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI2367DS-T1-GE3 Odbyt
SI2367DS-T1-GE3 Dodavatel
SI2367DS-T1-GE3 Distributor
SI2367DS-T1-GE3 Datová tabulka
SI2367DS-T1-GE3 Fotky
SI2367DS-T1-GE3 Cena
SI2367DS-T1-GE3 Nabídka
SI2367DS-T1-GE3 Nejnižší cena
SI2367DS-T1-GE3 Vyhledávání
SI2367DS-T1-GE3 Nákup
SI2367DS-T1-GE3 Chip