Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Číslo dílu
SI2399DS-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
34 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
835pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41834 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI2399DS-T1-GE3 Odbyt
SI2399DS-T1-GE3 Dodavatel
SI2399DS-T1-GE3 Distributor
SI2399DS-T1-GE3 Datová tabulka
SI2399DS-T1-GE3 Fotky
SI2399DS-T1-GE3 Cena
SI2399DS-T1-GE3 Nabídka
SI2399DS-T1-GE3 Nejnižší cena
SI2399DS-T1-GE3 Vyhledávání
SI2399DS-T1-GE3 Nákup
SI2399DS-T1-GE3 Chip