SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4500BDY-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1.3W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel, Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.6A, 3.8A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17930 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4500BDY-T1-GE3
SI4500BDY-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI4500BDY-T1-GE3 Odbyt
SI4500BDY-T1-GE3 Dodavatel
SI4500BDY-T1-GE3 Distributor
SI4500BDY-T1-GE3 Datová tabulka
SI4500BDY-T1-GE3 Fotky
SI4500BDY-T1-GE3 Cena
SI4500BDY-T1-GE3 Nabídka
SI4500BDY-T1-GE3 Nejnižší cena
SI4500BDY-T1-GE3 Vyhledávání
SI4500BDY-T1-GE3 Nákup
SI4500BDY-T1-GE3 Chip