SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Číslo dílu
SI4501BDY-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
4.5W, 3.1W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Typ FET
N and P-Channel, Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V, 8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A, 8A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51330 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4501BDY-T1-GE3
SI4501BDY-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI4501BDY-T1-GE3 Odbyt
SI4501BDY-T1-GE3 Dodavatel
SI4501BDY-T1-GE3 Distributor
SI4501BDY-T1-GE3 Datová tabulka
SI4501BDY-T1-GE3 Fotky
SI4501BDY-T1-GE3 Cena
SI4501BDY-T1-GE3 Nabídka
SI4501BDY-T1-GE3 Nejnižší cena
SI4501BDY-T1-GE3 Vyhledávání
SI4501BDY-T1-GE3 Nákup
SI4501BDY-T1-GE3 Chip