SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4800BDY-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7059 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Elektronické komponenty
SI4800BDY-T1-E3 Odbyt
SI4800BDY-T1-E3 Dodavatel
SI4800BDY-T1-E3 Distributor
SI4800BDY-T1-E3 Datová tabulka
SI4800BDY-T1-E3 Fotky
SI4800BDY-T1-E3 Cena
SI4800BDY-T1-E3 Nabídka
SI4800BDY-T1-E3 Nejnižší cena
SI4800BDY-T1-E3 Vyhledávání
SI4800BDY-T1-E3 Nákup
SI4800BDY-T1-E3 Chip