SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
Číslo dílu
SI4836DY-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42245 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI4836DY-T1-E3
SI4836DY-T1-E3 Elektronické komponenty
SI4836DY-T1-E3 Odbyt
SI4836DY-T1-E3 Dodavatel
SI4836DY-T1-E3 Distributor
SI4836DY-T1-E3 Datová tabulka
SI4836DY-T1-E3 Fotky
SI4836DY-T1-E3 Cena
SI4836DY-T1-E3 Nabídka
SI4836DY-T1-E3 Nejnižší cena
SI4836DY-T1-E3 Vyhledávání
SI4836DY-T1-E3 Nákup
SI4836DY-T1-E3 Chip