Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Číslo dílu
SI5401DC-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
1206-8 ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5401DC-T1-GE3
SI5401DC-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI5401DC-T1-GE3 Odbyt
SI5401DC-T1-GE3 Dodavatel
SI5401DC-T1-GE3 Distributor
SI5401DC-T1-GE3 Datová tabulka
SI5401DC-T1-GE3 Fotky
SI5401DC-T1-GE3 Cena
SI5401DC-T1-GE3 Nabídka
SI5401DC-T1-GE3 Nejnižší cena
SI5401DC-T1-GE3 Vyhledávání
SI5401DC-T1-GE3 Nákup
SI5401DC-T1-GE3 Chip