Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI5406DC-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Číslo dílu
SI5406DC-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
1206-8 ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 1.2mA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8055 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5406DC-T1-E3
SI5406DC-T1-E3 Elektronické komponenty
SI5406DC-T1-E3 Odbyt
SI5406DC-T1-E3 Dodavatel
SI5406DC-T1-E3 Distributor
SI5406DC-T1-E3 Datová tabulka
SI5406DC-T1-E3 Fotky
SI5406DC-T1-E3 Cena
SI5406DC-T1-E3 Nabídka
SI5406DC-T1-E3 Nejnižší cena
SI5406DC-T1-E3 Vyhledávání
SI5406DC-T1-E3 Nákup
SI5406DC-T1-E3 Chip