SI5482DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Číslo dílu
SI5482DU-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® ChipFET™ Single
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® ChipFet Single
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52698 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5482DU-T1-E3
SI5482DU-T1-E3 Elektronické komponenty
SI5482DU-T1-E3 Odbyt
SI5482DU-T1-E3 Dodavatel
SI5482DU-T1-E3 Distributor
SI5482DU-T1-E3 Datová tabulka
SI5482DU-T1-E3 Fotky
SI5482DU-T1-E3 Cena
SI5482DU-T1-E3 Nabídka
SI5482DU-T1-E3 Nejnižší cena
SI5482DU-T1-E3 Vyhledávání
SI5482DU-T1-E3 Nákup
SI5482DU-T1-E3 Chip