SI5499DC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Číslo dílu
SI5499DC-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
1206-8 ChipFET™
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1290pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5400 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3 Elektronické komponenty
SI5499DC-T1-E3 Odbyt
SI5499DC-T1-E3 Dodavatel
SI5499DC-T1-E3 Distributor
SI5499DC-T1-E3 Datová tabulka
SI5499DC-T1-E3 Fotky
SI5499DC-T1-E3 Cena
SI5499DC-T1-E3 Nabídka
SI5499DC-T1-E3 Nejnižší cena
SI5499DC-T1-E3 Vyhledávání
SI5499DC-T1-E3 Nákup
SI5499DC-T1-E3 Chip