SI5853DDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Číslo dílu
SI5853DDC-T1-E3
Výrobce/značka
Série
LITTLE FOOT®
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
1206-8 ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5853DDC-T1-E3
SI5853DDC-T1-E3 Elektronické komponenty
SI5853DDC-T1-E3 Odbyt
SI5853DDC-T1-E3 Dodavatel
SI5853DDC-T1-E3 Distributor
SI5853DDC-T1-E3 Datová tabulka
SI5853DDC-T1-E3 Fotky
SI5853DDC-T1-E3 Cena
SI5853DDC-T1-E3 Nabídka
SI5853DDC-T1-E3 Nejnižší cena
SI5853DDC-T1-E3 Vyhledávání
SI5853DDC-T1-E3 Nákup
SI5853DDC-T1-E3 Chip