SI5855DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Číslo dílu
SI5855DC-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
1206-8 ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47702 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI5855DC-T1-E3
SI5855DC-T1-E3 Elektronické komponenty
SI5855DC-T1-E3 Odbyt
SI5855DC-T1-E3 Dodavatel
SI5855DC-T1-E3 Distributor
SI5855DC-T1-E3 Datová tabulka
SI5855DC-T1-E3 Fotky
SI5855DC-T1-E3 Cena
SI5855DC-T1-E3 Nabídka
SI5855DC-T1-E3 Nejnižší cena
SI5855DC-T1-E3 Vyhledávání
SI5855DC-T1-E3 Nákup
SI5855DC-T1-E3 Chip