Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI7100DN-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Číslo dílu
SI7100DN-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3810pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46458 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7100DN-T1-E3
SI7100DN-T1-E3 Elektronické komponenty
SI7100DN-T1-E3 Odbyt
SI7100DN-T1-E3 Dodavatel
SI7100DN-T1-E3 Distributor
SI7100DN-T1-E3 Datová tabulka
SI7100DN-T1-E3 Fotky
SI7100DN-T1-E3 Cena
SI7100DN-T1-E3 Nabídka
SI7100DN-T1-E3 Nejnižší cena
SI7100DN-T1-E3 Vyhledávání
SI7100DN-T1-E3 Nákup
SI7100DN-T1-E3 Chip