SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Číslo dílu
SI7115DN-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
295 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26745 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7115DN-T1-E3
SI7115DN-T1-E3 Elektronické komponenty
SI7115DN-T1-E3 Odbyt
SI7115DN-T1-E3 Dodavatel
SI7115DN-T1-E3 Distributor
SI7115DN-T1-E3 Datová tabulka
SI7115DN-T1-E3 Fotky
SI7115DN-T1-E3 Cena
SI7115DN-T1-E3 Nabídka
SI7115DN-T1-E3 Nejnižší cena
SI7115DN-T1-E3 Vyhledávání
SI7115DN-T1-E3 Nákup
SI7115DN-T1-E3 Chip