SI7123DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
Číslo dílu
SI7123DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3729pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45202 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7123DN-T1-GE3
SI7123DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI7123DN-T1-GE3 Odbyt
SI7123DN-T1-GE3 Dodavatel
SI7123DN-T1-GE3 Distributor
SI7123DN-T1-GE3 Datová tabulka
SI7123DN-T1-GE3 Fotky
SI7123DN-T1-GE3 Cena
SI7123DN-T1-GE3 Nabídka
SI7123DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SI7123DN-T1-GE3 Vyhledávání
SI7123DN-T1-GE3 Nákup
SI7123DN-T1-GE3 Chip