SI7138DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Číslo dílu
SI7138DP-T1-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.8 mOhm @ 19.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9964 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7138DP-T1-E3
SI7138DP-T1-E3 Elektronické komponenty
SI7138DP-T1-E3 Odbyt
SI7138DP-T1-E3 Dodavatel
SI7138DP-T1-E3 Distributor
SI7138DP-T1-E3 Datová tabulka
SI7138DP-T1-E3 Fotky
SI7138DP-T1-E3 Cena
SI7138DP-T1-E3 Nabídka
SI7138DP-T1-E3 Nejnižší cena
SI7138DP-T1-E3 Vyhledávání
SI7138DP-T1-E3 Nákup
SI7138DP-T1-E3 Chip