SI7611DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
Číslo dílu
SI7611DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1980pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22154 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI7611DN-T1-GE3
SI7611DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SI7611DN-T1-GE3 Odbyt
SI7611DN-T1-GE3 Dodavatel
SI7611DN-T1-GE3 Distributor
SI7611DN-T1-GE3 Datová tabulka
SI7611DN-T1-GE3 Fotky
SI7611DN-T1-GE3 Cena
SI7611DN-T1-GE3 Nabídka
SI7611DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SI7611DN-T1-GE3 Vyhledávání
SI7611DN-T1-GE3 Nákup
SI7611DN-T1-GE3 Chip