Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI8800EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Číslo dílu
SI8800EDB-T2-E1
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-XFBGA, CSPBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-Microfoot
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26429 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI8800EDB-T2-E1
SI8800EDB-T2-E1 Elektronické komponenty
SI8800EDB-T2-E1 Odbyt
SI8800EDB-T2-E1 Dodavatel
SI8800EDB-T2-E1 Distributor
SI8800EDB-T2-E1 Datová tabulka
SI8800EDB-T2-E1 Fotky
SI8800EDB-T2-E1 Cena
SI8800EDB-T2-E1 Nabídka
SI8800EDB-T2-E1 Nejnižší cena
SI8800EDB-T2-E1 Vyhledávání
SI8800EDB-T2-E1 Nákup
SI8800EDB-T2-E1 Chip