Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Číslo dílu
SI8819EDB-T2-E1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-XFBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Ztráta energie (max.)
900mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 3.7V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28248 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI8819EDB-T2-E1
SI8819EDB-T2-E1 Elektronické komponenty
SI8819EDB-T2-E1 Odbyt
SI8819EDB-T2-E1 Dodavatel
SI8819EDB-T2-E1 Distributor
SI8819EDB-T2-E1 Datová tabulka
SI8819EDB-T2-E1 Fotky
SI8819EDB-T2-E1 Cena
SI8819EDB-T2-E1 Nabídka
SI8819EDB-T2-E1 Nejnižší cena
SI8819EDB-T2-E1 Vyhledávání
SI8819EDB-T2-E1 Nákup
SI8819EDB-T2-E1 Chip