Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI9910DY-E3
IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10.8 V ~ 16.5 V
Řízená konfigurace
High-Side
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
-
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
1A, 1A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
500V
Časy nahoru/dolů (Tip)
50ns, 35ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33010 PCS
Klíčová slova SI9910DY-E3
SI9910DY-E3 Elektronické komponenty
SI9910DY-E3 Odbyt
SI9910DY-E3 Dodavatel
SI9910DY-E3 Distributor
SI9910DY-E3 Datová tabulka
SI9910DY-E3 Fotky
SI9910DY-E3 Cena
SI9910DY-E3 Nabídka
SI9910DY-E3 Nejnižší cena
SI9910DY-E3 Vyhledávání
SI9910DY-E3 Nákup
SI9910DY-E3 Chip