Koupit Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SI9933CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Číslo dílu

SI9933CDY-T1-E3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Provozní teplota

-50°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Výkon - Max

3.1W

Dodavatelský balíček zařízení

8-SO

Typ FET

2 P-Channel (Dual)

Funkce FET

Logic Level Gate

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

58 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 8716 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DY-E3