SIB408DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
Číslo dílu
SIB408DK-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-75-6L
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-75-6L Single
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48921 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIB408DK-T1-GE3
SIB408DK-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIB408DK-T1-GE3 Odbyt
SIB408DK-T1-GE3 Dodavatel
SIB408DK-T1-GE3 Distributor
SIB408DK-T1-GE3 Datová tabulka
SIB408DK-T1-GE3 Fotky
SIB408DK-T1-GE3 Cena
SIB408DK-T1-GE3 Nabídka
SIB408DK-T1-GE3 Nejnižší cena
SIB408DK-T1-GE3 Vyhledávání
SIB408DK-T1-GE3 Nákup
SIB408DK-T1-GE3 Chip