SIB412DK-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Číslo dílu
SIB412DK-T1-E3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-75-6L
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-75-6L Single
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.16nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
535pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15364 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIB412DK-T1-E3
SIB412DK-T1-E3 Elektronické komponenty
SIB412DK-T1-E3 Odbyt
SIB412DK-T1-E3 Dodavatel
SIB412DK-T1-E3 Distributor
SIB412DK-T1-E3 Datová tabulka
SIB412DK-T1-E3 Fotky
SIB412DK-T1-E3 Cena
SIB412DK-T1-E3 Nabídka
SIB412DK-T1-E3 Nejnižší cena
SIB412DK-T1-E3 Vyhledávání
SIB412DK-T1-E3 Nákup
SIB412DK-T1-E3 Chip