SIB422EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
Číslo dílu
SIB422EDK-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-75-6L
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-75-6L Single
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13511 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIB422EDK-T1-GE3
SIB422EDK-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIB422EDK-T1-GE3 Odbyt
SIB422EDK-T1-GE3 Dodavatel
SIB422EDK-T1-GE3 Distributor
SIB422EDK-T1-GE3 Datová tabulka
SIB422EDK-T1-GE3 Fotky
SIB422EDK-T1-GE3 Cena
SIB422EDK-T1-GE3 Nabídka
SIB422EDK-T1-GE3 Nejnižší cena
SIB422EDK-T1-GE3 Vyhledávání
SIB422EDK-T1-GE3 Nákup
SIB422EDK-T1-GE3 Chip