Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHG039N60E-GE3
MOSFET E SERIES 600V TO247AC
Číslo dílu
SIHG039N60E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15843 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHG039N60E-GE3
SIHG039N60E-GE3 Elektronické komponenty
SIHG039N60E-GE3 Odbyt
SIHG039N60E-GE3 Dodavatel
SIHG039N60E-GE3 Distributor
SIHG039N60E-GE3 Datová tabulka
SIHG039N60E-GE3 Fotky
SIHG039N60E-GE3 Cena
SIHG039N60E-GE3 Nabídka
SIHG039N60E-GE3 Nejnižší cena
SIHG039N60E-GE3 Vyhledávání
SIHG039N60E-GE3 Nákup
SIHG039N60E-GE3 Chip