Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHG33N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Číslo dílu
SIHG33N60E-E3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
278W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3508pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26650 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHG33N60E-E3
SIHG33N60E-E3 Elektronické komponenty
SIHG33N60E-E3 Odbyt
SIHG33N60E-E3 Dodavatel
SIHG33N60E-E3 Distributor
SIHG33N60E-E3 Datová tabulka
SIHG33N60E-E3 Fotky
SIHG33N60E-E3 Cena
SIHG33N60E-E3 Nabídka
SIHG33N60E-E3 Nejnižší cena
SIHG33N60E-E3 Vyhledávání
SIHG33N60E-E3 Nákup
SIHG33N60E-E3 Chip