SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Číslo dílu
SIHG33N65E-GE3
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AC
Ztráta energie (max.)
313W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49804 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Elektronické komponenty
SIHG33N65E-GE3 Odbyt
SIHG33N65E-GE3 Dodavatel
SIHG33N65E-GE3 Distributor
SIHG33N65E-GE3 Datová tabulka
SIHG33N65E-GE3 Fotky
SIHG33N65E-GE3 Cena
SIHG33N65E-GE3 Nabídka
SIHG33N65E-GE3 Nejnižší cena
SIHG33N65E-GE3 Vyhledávání
SIHG33N65E-GE3 Nákup
SIHG33N65E-GE3 Chip