Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
Číslo dílu
SIHH100N60E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 8 x 8
Ztráta energie (max.)
174W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25123 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHH100N60E-T1-GE3
SIHH100N60E-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIHH100N60E-T1-GE3 Odbyt
SIHH100N60E-T1-GE3 Dodavatel
SIHH100N60E-T1-GE3 Distributor
SIHH100N60E-T1-GE3 Datová tabulka
SIHH100N60E-T1-GE3 Fotky
SIHH100N60E-T1-GE3 Cena
SIHH100N60E-T1-GE3 Nabídka
SIHH100N60E-T1-GE3 Nejnižší cena
SIHH100N60E-T1-GE3 Vyhledávání
SIHH100N60E-T1-GE3 Nákup
SIHH100N60E-T1-GE3 Chip