SIHH120N60E-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8
Číslo dílu
SIHH120N60E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 8 x 8
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14935 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHH120N60E-T1-GE3
SIHH120N60E-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIHH120N60E-T1-GE3 Odbyt
SIHH120N60E-T1-GE3 Dodavatel
SIHH120N60E-T1-GE3 Distributor
SIHH120N60E-T1-GE3 Datová tabulka
SIHH120N60E-T1-GE3 Fotky
SIHH120N60E-T1-GE3 Cena
SIHH120N60E-T1-GE3 Nabídka
SIHH120N60E-T1-GE3 Nejnižší cena
SIHH120N60E-T1-GE3 Vyhledávání
SIHH120N60E-T1-GE3 Nákup
SIHH120N60E-T1-GE3 Chip