Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
Číslo dílu
SIHH14N65E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 8 x 8
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1712pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36266 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SIHH14N65E-T1-GE3
SIHH14N65E-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIHH14N65E-T1-GE3 Odbyt
SIHH14N65E-T1-GE3 Dodavatel
SIHH14N65E-T1-GE3 Distributor
SIHH14N65E-T1-GE3 Datová tabulka
SIHH14N65E-T1-GE3 Fotky
SIHH14N65E-T1-GE3 Cena
SIHH14N65E-T1-GE3 Nabídka
SIHH14N65E-T1-GE3 Nejnižší cena
SIHH14N65E-T1-GE3 Vyhledávání
SIHH14N65E-T1-GE3 Nákup
SIHH14N65E-T1-GE3 Chip