Koupit Vishay Siliconix SIHH180N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH PPAK 8X8

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH PPAK 8X8

Číslo dílu

SIHH180N60E-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

Stav sekce

Active

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerTDFN

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® 8 x 8

Ztráta energie (max.)

114W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

19A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

180 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1085pF @ 100V

VGS (max.)

±30V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 45107 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix