SIHJ240N60E-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
Číslo dílu
SIHJ240N60E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29403 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIHJ240N60E-T1-GE3 Odbyt
SIHJ240N60E-T1-GE3 Dodavatel
SIHJ240N60E-T1-GE3 Distributor
SIHJ240N60E-T1-GE3 Datová tabulka
SIHJ240N60E-T1-GE3 Fotky
SIHJ240N60E-T1-GE3 Cena
SIHJ240N60E-T1-GE3 Nabídka
SIHJ240N60E-T1-GE3 Nejnižší cena
SIHJ240N60E-T1-GE3 Vyhledávání
SIHJ240N60E-T1-GE3 Nákup
SIHJ240N60E-T1-GE3 Chip