Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Číslo dílu
SIJH440E-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 8 x 8
Ztráta energie (max.)
158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.96 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20330pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51847 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SIJH440E-T1-GE3
SIJH440E-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIJH440E-T1-GE3 Odbyt
SIJH440E-T1-GE3 Dodavatel
SIJH440E-T1-GE3 Distributor
SIJH440E-T1-GE3 Datová tabulka
SIJH440E-T1-GE3 Fotky
SIJH440E-T1-GE3 Cena
SIJH440E-T1-GE3 Nabídka
SIJH440E-T1-GE3 Nejnižší cena
SIJH440E-T1-GE3 Vyhledávání
SIJH440E-T1-GE3 Nákup
SIJH440E-T1-GE3 Chip