SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Číslo dílu
SIR606BDP-T1-RE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53502 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR606BDP-T1-RE3
SIR606BDP-T1-RE3 Elektronické komponenty
SIR606BDP-T1-RE3 Odbyt
SIR606BDP-T1-RE3 Dodavatel
SIR606BDP-T1-RE3 Distributor
SIR606BDP-T1-RE3 Datová tabulka
SIR606BDP-T1-RE3 Fotky
SIR606BDP-T1-RE3 Cena
SIR606BDP-T1-RE3 Nabídka
SIR606BDP-T1-RE3 Nejnižší cena
SIR606BDP-T1-RE3 Vyhledávání
SIR606BDP-T1-RE3 Nákup
SIR606BDP-T1-RE3 Chip