SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Číslo dílu
SIRC10DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1873pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+20V, -16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40698 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIRC10DP-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIRC10DP-T1-GE3 Odbyt
SIRC10DP-T1-GE3 Dodavatel
SIRC10DP-T1-GE3 Distributor
SIRC10DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIRC10DP-T1-GE3 Fotky
SIRC10DP-T1-GE3 Cena
SIRC10DP-T1-GE3 Nabídka
SIRC10DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIRC10DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIRC10DP-T1-GE3 Nákup
SIRC10DP-T1-GE3 Chip