Koupit Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Číslo dílu

SIS612EDNT-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® 1212-8S

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Ztráta energie (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

20V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

2.5V, 4.5V

VGS (max.)

±12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 44705 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SIS606BDN-T1-GE3