SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8
Číslo dílu
SISA01DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22.4A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3490pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
+16V, -20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISA01DN-T1-GE3 Odbyt
SISA01DN-T1-GE3 Dodavatel
SISA01DN-T1-GE3 Distributor
SISA01DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISA01DN-T1-GE3 Fotky
SISA01DN-T1-GE3 Cena
SISA01DN-T1-GE3 Nabídka
SISA01DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISA01DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISA01DN-T1-GE3 Nákup
SISA01DN-T1-GE3 Chip