Koupit Vishay Siliconix SISA26DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Číslo dílu

SISA26DN-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® 1212-8S

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Ztráta energie (max.)

39W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

25V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2247pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

+16V, -12V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 50059 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SISA01DN-T1-GE3