Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Číslo dílu
SISF00DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8SCD
Výkon - Max
69.4W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8SCD
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45645 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISF00DN-T1-GE3 Odbyt
SISF00DN-T1-GE3 Dodavatel
SISF00DN-T1-GE3 Distributor
SISF00DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISF00DN-T1-GE3 Fotky
SISF00DN-T1-GE3 Cena
SISF00DN-T1-GE3 Nabídka
SISF00DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISF00DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISF00DN-T1-GE3 Nákup
SISF00DN-T1-GE3 Chip